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日期
題名
作者
2024-01-25
Nietzsche as Educator in Lars von Trier’s Movies
卡基
;
Ugurlu, Ahmet Cagri
2008
Nighttime medium-scale traveling ionospheric disturbances detected by network GPS receivers in Taiwan
Lee,C. C.
;
Liou,Y. A.
;
Otsuka,Y.
;
Chu,F. D.
;
Yeh,T. K.
;
Hoshinoo,K.
;
Matunaga,K.
2002-12-01
NIMA格式圖資應用於任務規劃系統技術研究; Technique Study on NIMA Spatial Data Format for Mission Planning System
李子壩
2015-07-22
NINJA: A New Android UI State Inference Attack and Defense Mechanism
吳昊澄
;
Wu,Hao-Cheng
2018-04-24
NIPAAm水凝膠薄膜熱固化特性研究
魏敬紋
;
Wei, Jing-Wen
2015-01-09
NIR DOT光電量測系統於解調校正之研究
李惟宇
;
Li,Wei-Yu
1996
The nitridation kinetics of pyrolyzed rice husk
Liou,TH
;
Chang,FW
2000
The nitridation kinetics of silicon powder compacts
Chang,FW
;
Liou,TH
;
Tsai,FM
2009
Nitride-Based Asymmetric Two-Step Light-Emitting Diode With In0.08Ga0.92N Shallow Step
Kuo,CH
;
Fu,YK
;
Yeh,CL
;
Tun,CJ
;
Chen,PH
;
Lai,WC
;
Chang,SJ
2003
Nitride-based blue LEDs with GaN/SiN double buffer layers
Kuo,CH
;
Chang,SJ
;
Su,YK
;
Wang,CK
;
Wu,LW
;
Sheu,JK
;
Wen,TC
;
Lai,WC
;
Tsai,JM
;
Lin,CC
2010
Nitride-based blue light-emitting diodes with multiple Mg(x)N(y)/GaN buffer layers
Fu,YK
;
Kuo,CH
;
Tun,CJ
;
Chang,LC
2002
Nitride-based cascade near white light-emitting diodes
Chen,CH
;
Chang,SJ
;
Su,YK
;
Sheu,JK
;
Chen,JF
;
Kuo,CH
;
Lin,YC
2003
Nitride-based green light-emitting diodes with high temperature GaN barrier layers
Wu,LW
;
Chang,SJ
;
Su,YK
;
Chuang,RW
;
Wen,TC
;
Kuo,CH
;
Lai,WC
;
Chang,CS
;
Tsai,JM
;
Sheu,JK
2004
Nitride-based LEDs with 800 degrees C grown p-AllnGaN-GaN double-cap layers
Chang,SJ
;
Wu,LW
;
Su,YK
;
Hsu,YP
;
Lai,WC
;
Tsai,JA
;
Sheu,JK
;
Lee,CT
2004
Nitride-based LEDs with an SPS Tunneling contact layer and an ITO transparent contact
Chang,SJ
;
Chang,CS
;
Su,YK
;
Chuang,RW
;
Lai,WC
;
Kuo,CH
;
Hsu,YP
;
Lin,YC
;
Shei,SC
;
Lo,HM
;
Ke,JC
;
Sheu,JK
2005
Nitride-based LEDs with ITO on nanostructured silicon contact layers
Kuo,CH
;
Chang,SJ
;
Chen,SC
2004
Nitride-based LEDs with modulation-doped Al0.12Ga0.88N-GaN superlattice structures
Wen,TC
;
Chang,SJ
;
Lee,CT
;
Lai,WC
;
Sheu,JK
2003
Nitride-based light emitting diodes with Si-doped In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer
Kuo,CH
;
Chang,SJ
;
Su,YK
;
Wu,LW
;
Chen,JF
;
Shen,JK
;
Tsai,JM
2005
Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers
Kuo,CH
;
Lin,CC
;
Chang,SJ
;
Hsu,YP
;
Tsai,JM
;
Lai,WC
;
Wang,PT
2006
Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers prepared at various temperatures
Kuo,C. H.
;
Kuo,C. W.
;
Chen,C. M.
;
Pong,B. J.
;
Chi,G. C.
2004
Nitride-based near-ultraviolet LEDs with an ITO transparent contact
Kuo,CH
;
Chang,SJ
;
Su,Y
;
Chuang,RW
;
Chang,CS
;
Wu,LW
;
Lai,WC
;
Chen,JF
;
Sheu,J
;
Lo,HM
;
Tsai,JM
2007
Nitride-based near-ultraviolet light emitting diodes with meshed p-GaN
Kuo,C. H.
;
Feng,H. C.
;
Kuo,C. W.
;
Chen,C. M.
;
Wu,L. W.
;
Chi,G. C.
2007
Nitride-based near-ultraviolet mesh MQW light-emitting diodes
Kuo,C. H.
;
Feng,H. C.
2003
Nitride-based near-ultraviolet multiple-quantum well light-emitting diodes with AlGaN barrier layers
Kuo,CH
;
Chang,SJ
;
Su,YK
;
Wu,LW
;
Sheu,JK
;
Wen,TC
;
Lai,WC
;
Tsai,JM
;
Chen,SC
2006
Nitride-based photodiode at 510-nm wavelength for plastic optical fiber communications
Shi,JW
;
Huang,HY
;
Shell,JK
;
Hsieh,SH
;
Wu,YS
;
Lu,JY
;
Huang,FH
;
Lai,WC
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