本論文旨在探討單層和雙層鍺量子點的閘堆疊，高介電係數材料應用，以及由兩個不同能隙的介電層堆疊，所產生的階梯形能障所帶來的優缺點，並藉由分析載子在複合介電層的傳輸機制，來了解電荷在複合穿隧介電層的傳輸機制對非揮發記憶體的效能影響。在分析後可以知道，在元件操作的電場區域，電子在介電層的傳輸機制，單層是氮化矽F-P穿隧與二氧化矽F-N穿隧的串聯，由氮化矽主導；雙層亦是氮化矽F-P穿隧與二氧化矽穿隧的串聯，由二氧化矽主導。 This article investigates the integration of multi-layer Ge QDs, high-K material, composite dielectrics and stair-case energy barrier for nonvolatile memory, and analyzes the advantages and disadvantages of the MOS-capacitors with these terms of charge storage, retention, and endurance. Furthermore, we analyze the carrier transport mechanism in the composite dielectrics.
