極寬能隙半導體β-Ga₂O₃/MoS₂ Type-II異質結構之材料特性及抗輻射元件應用;Material Properties and Radiation-Hard Device Applications of Ultra-Wide Bandgap Β-Ga₂O₃/ Mos₂ Type-Ii Heterostructures

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題名:	極寬能隙半導體β-Ga₂O₃/MoS₂ Type-II異質結構之材料特性及抗輻射元件應用;Material Properties and Radiation-Hard Device Applications of Ultra-Wide Bandgap Β-Ga₂O₃/ Mos₂ Type-Ii Heterostructures
作者:	陳昇暉
貢獻者:	國立中央大學光電科學與工程學系
關鍵詞:	極寬能隙半導體;抗輻射元件;Type-II異質結構;Ultra-Wide Bandgap Material;Radiation-Hard Device;Type-II Heterostructure
日期:	2026-07-23
上傳時間:	2026-07-27 15:28:28 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計畫「極寬能隙半導體 β-Ga₂O₃/MoS₂ Type-II異質結構之材料特性及抗輻射元件應用」旨在發展新型極寬能隙薄膜材料β-Ga₂O₃與抗輻射半導體元件製程技術。計畫之核心亮點在於整合高能脈衝磁控濺鍍技術與液態金屬靶材製程技術，並結合二維材料 MoS₂，建構具備高能隙、高穩定性之 β-Ga₂O₃/MoS₂異質結構抗輻射元件，屬於兼具材料創新與元件應用潛力之新型鍍膜與元件技術。本研究以未來可應用於人造衛星與極端輻射環境電子系統之半導體元件為發展目標，透過本研究團隊自主開發之低溫脈衝磁控濺鍍磊晶系統，建立可於較低製程溫度下成長高品質 β-Ga₂O₃ 薄膜之濺鍍磊晶製程，期望在材料品質、薄膜均勻性及製程穩定度上達到具備商業化潛力之水準，並提升其可量產性，以增進未來產業應用與市場競爭力。本計畫除持續推動新型極寬能隙材料與異質結構製程研究外，亦重視研究成果之實用性，透過與產業界保持密切互動與技術交流，逐步將研究成果導入實際應用，為我國高可靠度抗輻射半導體元件技術奠定基礎。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 研究計畫

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