N型氮化鎵基板對CsPbBr3鈣鈦礦發光二極體薄膜成長與元件效能之影響;Study of Cspbbr3 Perovskite Led Film Growth and Device Performance on N-Type Gan Substrates

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題名:	N型氮化鎵基板對CsPbBr3鈣鈦礦發光二極體薄膜成長與元件效能之影響;Study of Cspbbr3 Perovskite Led Film Growth and Device Performance on N-Type Gan Substrates
作者:	詹佳樺
貢獻者:	國立中央大學能源工程研究所
關鍵詞:	N 型氮化鎵基板;CsPbBr₃發光二極體;界面工程;類量子阱結構;N-type GaN substrate;CsPbBr3 PeLED;Interface engineering;Quantum-Well-like (QWL) structure
日期:	2026-07-23
上傳時間:	2026-07-27 15:39:28 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計畫提出以n-GaN作為電子供應基板，結合界面能帶工程，研發具備高效率、高色彩純度與高操作穩定度之新式PeLED，並系統性探討其於主動式顯示器光源與高效能照明元件之應用潛力。透過引入我國高度成熟製程與完整產業鏈之GaN技術，本研究不僅可為國內顯示器與LEDs產業提供材料與元件設計指引，亦有助於深化我國在寬能隙半導體與新型發光材料交叉領域之基礎研究能量，進而提升我國在全球顯示及光電產業鏈中的競爭能力。除了本計畫所聚焦之n-GaN/PeLED之外，研究所建立之基板導向電子注入與界面能帶工程研究架構，亦可延伸應用至其他寬能隙半導體材料系統。例如，導入p-GaN探討電洞注入端之界面物理，導入高熱穩定性之SiC可作為高可靠度操作條件下之替代基板，拓展鈣鈦礦光電元件於未來顯示與照明技術中的應用潛力。研究成果未來亦有機會作為鈣鈦礦系太陽能電池、雷射、光感測器以及螢光檢測等領域之應用。同時，參與計畫之學生經由研究訓練，未來畢業後不論是繼續從事研究或是進入產業界工作都會具有相當程度之材料合成與元件製作的技術與知識，可作為學術界與產業界未來在有關鈣鈦礦發光元件領域研發與生產之專業人才，對於國家在此領域的發展上有所助益。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[能源工程研究所 ] 研究計畫

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