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    題名: 脈衝式成長對氮化鋁鎵摻雜效率與材料特性之影響;Impact of Pulsed Growth on Doping Efficiency and Material Properties of AlGaN
    作者: 李珮綺;LEE, PEI-CHI
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: 脈衝式成長;氮化鋁鎵;摻雜效率;Pulsed growth;AlGaN;Doping efficiency
    日期: 2026-06-11
    上傳時間: 2026-10-20 17:36:53 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: 本研究旨在探討脈衝式成長對氮化鋁鎵(AlGaN)摻雜效率與材料特性之影響，我們利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術於藍寶石基板上製備氮化鋁鎵薄膜，並針對三種不同生長模式進行比較，包含連續式供應成長(Continuous Flow， CF)、單脈衝式供應成長(Single Pulsed Flow， SPF)以及雙脈衝供應成長(Double Pulsed
    Flow， DPF)。?
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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