English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 42713127      線上人數 : 1393
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/25152


    題名: 單原子摻雜隱藏層對層狀結構半導體光學特性的影響;The Influence of Doped Buried Layer on the Optical Properties of Multilayer Semiconductors
    作者: 徐子民
    貢獻者: 物理學系
    關鍵詞: 分子束磊晶法;光子調制反射光譜;層狀結構半導體;Molecular beam epitaxy;Photoreflectance;Multilayer semiconductors;物理類
    日期: 1993-07-01
    上傳時間: 2010-05-27 17:29:57 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 在分子束磊晶法成長之砷化鎵,或砷化鎵/砷化 鋁鎵層狀結構中隱藏一層單原子雜質( .delta. doped )會在半導體表面造成均勻之內建電場.本計畫擬 研究此內建電場對各式量子井的光學特性.在實 驗方面,我們合併光子調制反射光譜(PR)和微分光 子調制反射光譜(DPR)觀察半導體內部各層之光譜 訊號.在理論方面,我們利用Self-consistent Calculation 和Effective MassApproximation分析層狀結構及其能階 躍遷.研究期間：8108 ~ 8207
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[物理學系] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML616檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期：8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明