Effects of a thin Au Interlayer on the formation of low-resistivity COSi2 on (001)Si substrate

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題名:	Effects of a thin Au Interlayer on the formation of low-resistivity COSi2 on (001)Si substrate
作者:	Cheng,S. L.;Chen,H. Y.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY;SILICIDE FORMATION;THERMAL-STABILITY;PHASE-FORMATION;FILM REACTIONS;CAPPING LAYER;CO-SILICIDES;GROWTH;SI;TEMPERATURE
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 15:57:38 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study we investigate the effects of a thin Au interlayer on the formation of cobalt silicide thin films on (001)Si substrate. The presence of a thin Au interlayer in the Co/Au/Co/(001)Si samples was found to decrease the temperature needed for the
關聯:	THIN SOLID FILMS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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