Enhanced growth of CoSi2 thin films on (001)Si with Co/Au/Co sandwich structures

NCU Institutional Repository > 工學院 > 材料科學與工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/29780

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/29780

題名:	Enhanced growth of CoSi2 thin films on (001)Si with Co/Au/Co sandwich structures
作者:	Cheng,S. L.;Chen,H. Y.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	LOW-TEMPERATURE FORMATION;TI-CAPPING LAYER;SILICIDE FORMATION;NI-SILICIDE;AU;PHASE;NUCLEATION;MECHANISMS;INTERLAYER;TITANIUM
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 15:57:48 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Formation of cobalt silicides in the Co/Au/Co trilayer films on (001)Si substrate after different heat treatments has been investigated. The nucleation temperature of low-resistivity CoSi2 phase in the Co/Au/Co/(001)Si samples was found to be lowered by a
關聯:	JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	505	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing