中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32104
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    题名: Simulation and fabrication of high voltage AlGaN/GaN based Schottky diodes with field plate edge termination
    作者: Remashan,K.;Huang,Wen-Pin;Chyi,Jen-Inn
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;BREAKDOWN VOLTAGE;GAN SCHOTTKY;RECTIFIERS;DESIGN;HETEROSTRUCTURES;TRANSISTOR;SUBSTRATE;DENSITY;LAYERS
    日期: 2007
    上传时间: 2010-07-06 18:18:41 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: In this paper, we report the breakdown voltage (BV) of AlGaN/GaN based Schottky diodes with field plate edge termination. Simulation and fabrication of AlGaN/GaN Schottky diodes were carried out. The simulations were performed using the commercial 2-D dev
    關聯: MICROELECTRONIC ENGINEERING
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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