K-band monolithic InGaP-InGaAs DCFET amplifier using BCB coplanar waveguide technology

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題名:	K-band monolithic InGaP-InGaAs DCFET amplifier using BCB coplanar waveguide technology
作者:	Chiu,HC;Yang,SC;Lin,CK;Hwu,MJ;Chiou,HK;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	PERFORMANCE;MMICS
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:26:50 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A K-band (20 GHz) monolithic amplifier was developed and fabricated by adopting a low-kappa benzocyclobutene (BCB) coplanar waveguide (CPW) line and InGaP-InGaAs doped-channel HFETs (DCFETs). This monolithic microwave integrated circuit (MMIC) utilizes a
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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