Enhanced power performance of enhancement-mode Al0.5Ga0.5As/In0.15Ga0.85As pHEMTs using a low-k BCB passivation

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題名:	Enhanced power performance of enhancement-mode Al0.5Ga0.5As/In0.15Ga0.85As pHEMTs using a low-k BCB passivation
作者:	Chiu,HC;Hwu,MJ;Yang,SC;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	LEAKAGE CURRENT;SUPPRESSION;HEMTS
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:31:16 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Surface passivation technology plays an important role, especially in E-mode pHEMTs applications, and a new passivation technology has been proposed in this study. This novel benzocyclobutene (BCB) passivation layer takes advantages of the low dielectric
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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