Improved electroluminescence of InAs quantum dots with strain reducing layer

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題名:	Improved electroluminescence of InAs quantum dots with strain reducing layer
作者:	Yeh,NT;Nee,TE;Chyi,JI;Chia,CT;Hsu,TM;Huang,CC
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	1.3 MU-M;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;LASER;GAAS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:33:56 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The effects of the arrangement between InAs quantum dots and InGaAs strain-reducing layer (SRL) on the optical properties of quantum dot light emitting diodes are investigated. Electroluminescence wavelength longer than 1.3 mum is obtained as InAs quantum
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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