Improving characteristics of Si-based trench-electrode metal-semiconductor-metal photodetectors using self-aligned process

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題名:	Improving characteristics of Si-based trench-electrode metal-semiconductor-metal photodetectors using self-aligned process
作者:	Lin,CS;Yeh,RH;Liao,CH;Hong,JW
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MSM PHOTODETECTORS;PHOTODIODE
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:00 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A one-mask self-aligned process was used to fabricate trench-electrode (U-grooved) Sibased metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors PDs). The photo to dark current ratio, responsivity and quantum efficiency of the obtained Si MSM-PD with electrode s
關聯:	IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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