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    题名: Laser-induced activation of p-type GaN with the second harmonics of a Nd : YAG laser
    作者: Cheng,YC;Liao,CC;Feng,SW;Yang,CC;Lin,YS;Ma,KJ;Chou,CC;Lee,CM;Chyi,JI
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: MG-DOPED GAN;BAND
    日期: 2001
    上传时间: 2010-07-06 18:34:14 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Magnesium-doped p-type GaN has been activated by irradiation with photons of 532 nm wavelength from the second harmonic of a Q-switched neodymium-doped ytterbium aluminum garnet (Nd:YAG) laser. With appropriate laser fluence levels and irradiation pulse n
    關聯: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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