Schottky rectifiers fabricated on free-standing GaN substrates

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题名:	Schottky rectifiers fabricated on free-standing GaN substrates
作者:	Johnson,JW;LaRoch,JR;Ren,F;Gila,BP;Overberg,ME;Abernathy,CR;Chyi,JI;Chou,CC;Nee,TE;Lee,CM;Lee,KP;Park,SS;Park,YJ;Pearton,SJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	BREAKDOWN VOLTAGE;TEMPERATURE-DEPENDENCE;DIODES;FIELD
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:34:57 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN Schottky rectifiers have been fabricated on free-standing substrates and on epi/substrate structures. Forward turn-on voltages were as low as 3 V at 25 degreesC. Reverse recovery was complete in <600 ns; with a characteristic time constant of <similar
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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