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    題名: Dependence of composition fluctuation on indium content in InGaN/GaN multiple quantum wells
    作者: Lin,YS;Ma,KJ;Hsu,C;Feng,SW;Cheng,YC;Liao,CC;Yang,CC;Chou,CC;Lee,CM;Chyi,JI
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;PHASE-SEPARATION;EXCITON LOCALIZATION;DOTS;PHOTOLUMINESCENCE;GAINN;LASER
    日期: 2000
    上傳時間: 2010-07-06 18:35:18 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The information on the variations of indium composition, aggregation size, and quantum-well width is crucially important for understanding the optical properties and, hence, fabricating efficient light-emitting devices. Our results showed that spinodal de
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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