Gd2O3/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

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题名:	Gd2O3/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
作者:	Johnson,JW;Luo,B;Ren,F;Gila,BP;Krishnamoorthy,W;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Chyi,JI;Nee,TE;Lee,CM;Chuo,CC
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	GAN;DENSITY;HFETS;INTERFACES
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:35:37 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Gd2O3 has been deposited epitaxially on GaN using elemental Gd and an electron cyclotron resonance oxygen plasma in a gas-source molecular beam epitaxy system. Cross-sectional transmission electron microscopy shows a high concentration of dislocations whi
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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