Reactive-ion-etching (AlxGa1-x)(0.5)In0.5P quaternary compounds using chlorine and fluorine mixing plasma

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題名:	Reactive-ion-etching (AlxGa1-x)(0.5)In0.5P quaternary compounds using chlorine and fluorine mixing plasma
作者:	Yang,SC;Chan,YJ;Chang,KH;Lin,KC
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-06 18:36:28 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Both BCl3+CHF3 and BCl3+CF4 reactive ion etching processes were used to study the etching characteristics of (AlxGa1-x)(0.5)In0.5P quaternary compounds with various Al contents (x=0, 0.3, 0.7, 1). By increasing the fluorine-based gas (CHF3 or CF4) into th
關聯:	COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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