The growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with A1N buffer layer

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題名:	The growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with A1N buffer layer
作者:	Chang,K. J.;Lahn,S. M.;Xie,Z. J.;Chang,J. Y.;Uen,W. Y.;Lu,T. U.;Lin,J. H.;Lin,T. Y.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;FILM SOLAR-CELLS;THIN-FILMS;INDIUM SELENIDE;OPTICAL-PROPERTIES;PHOTOLUMINESCENCE
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-07 14:09:14 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Single-phase gamma-Tn(2)Se(3) thin films have been prepared on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition technique using dual-source precursors: trimethylindium and hydrogen selenicle. The films have been characterized by X-ray diffracti
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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