Lateral epitaxial patterned sapphire InGaN/GaN MQW LEDs

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題名:	Lateral epitaxial patterned sapphire InGaN/GaN MQW LEDs
作者:	Hsu,YP;Chang,SJ;Su,YK;Sheu,JK;Lee,CT;Wen,TC;Wu,LW;Kuo,CH;Chang,CS;Shei,SC
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;QUANTUM-WELL BLUE;GAN;CONTACTS;LAYERS;ALGAN
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-07 14:13:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN epitaxial layers and InGaN/GaN multiquantum well blue light emitting diodes (LEDs) were prepared on both patterned sapphire substrates (PSS) and conventional sapphire substrates. From scanning electron microscopy micrographs of GaN epitaxial layers on
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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