Reduction of dark current in AlGaN-GaN Schottky-barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer

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题名:	Reduction of dark current in AlGaN-GaN Schottky-barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer
作者:	Lee,ML;Sheu,JK;Su,YK;Chang,SJ;Lai,WC;Chi,GC
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	CONTACTS;GAAS
日期:	2004
上传时间:	2010-07-07 14:13:26 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	AlGaN-GaN-based UV Schottky-barrier photodetectors with (i.e., sample A) and without (i.e., sample B) the low-temperature (LT) GaN cap layer were both fabricated. It was found that we could achieve a lower leakage current from sample A. Under reverse bias
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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