Improvement of near-ultraviolet InGaN-GaN light-emitting diodes with an AlGaN electron-blocking layer grown at low temperature

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題名:	Improvement of near-ultraviolet InGaN-GaN light-emitting diodes with an AlGaN electron-blocking layer grown at low temperature
作者:	Tu,RC;Tun,CJ;Pan,SM;Chuo,CC;Sheu,JK;Tsai,CE;Wang,TC;Chi,GC
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LOW-OPERATION VOLTAGE;OHMIC CONTACTS;LASER-DIODES;SUPERLATTICE;POWER
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 14:14:33 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The 400-nm near-ultraviolet InGaN-GaN multiple quantum well light-emitting diodes (LEDs) with Mg-doped AlGaN electron-blocking (EB) layers of various configurations and grown under various conditions, were grown on sapphire substrates by metal-organic vap
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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