Optical properties of ZnO/GaN heterostructure and its near-ultraviolet light-emitting diode

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题名:	Optical properties of ZnO/GaN heterostructure and its near-ultraviolet light-emitting diode
作者:	Yu,QX;Xu,B;Wu,QH;Liao,Y;Wang,GZ;Fang,RC;Lee,HY;Lee,CT
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;N-TYPE GAN;LUMINESCENCE BAND;OHMIC CONTACTS;ZNO FILMS;OXIDE;EMISSION;DEVICES;PLASMA;MG
日期:	2003
上传时间:	2010-07-07 14:15:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report on photoluminescence in a ZnO/GaN heterostructure, which showed a donor-acceptor pair emission band at 3.270 eV and the longitudinal optical phonon replicas at 12 K. In comparison with p-type GaN, the positions of the peaks are redshifted. This
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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