Film thickness dependence on the electrical and optical properties of PtSi/p-Si(100) Schottky barrier detector

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題名:	Film thickness dependence on the electrical and optical properties of PtSi/p-Si(100) Schottky barrier detector
作者:	Lyu,YT;Lee,CT;Horng,GJ;Ho,C;Lee,CY;Wu,CS
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	SI;SI(001);LAYER
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 14:19:11 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the PtSi film thickness dependence on the electrical barrier height and quantum efficiency of PtSi Schottky barrier detector (SBD). The thickness of the PtSi film was varied from 20 to 120 Angstrom. The electrical barrier height of the SBD is ab
關聯:	MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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