Investigation of double-delta-doped InAlGaP/GaAs/InGaAs field effect transistors

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题名:	Investigation of double-delta-doped InAlGaP/GaAs/InGaAs field effect transistors
作者:	Lee,HY;Lin,IJ;Shieh,HM;Lee,CT
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;ELECTRONIC BAND-STRUCTURE;GAAS
日期:	2002
上传时间:	2010-07-07 14:21:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The double-delta-doped In-0.5(Al0.7Ga0.3)(0.5)P/GaAs/In0.3Ga0.7As field-effect transistors (FETs) epitaxial layers were grown on (100)-oriented semi-insulating GaAs substrate using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition system. To study the c
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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