Electrical properties and spectra of deep centers in GaN p-i-n rectifier structures

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题名:	Electrical properties and spectra of deep centers in GaN p-i-n rectifier structures
作者:	Polyakov,AY;Smirnov,NB;Govorkov,AV;Zhang,AP;Ren,F;Pearton,SJ;Chyi,JI;Nee,TE;Chou,CC;Lee,CM
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	VAPOR-PHASE EPITAXY;SPATIAL-DISTRIBUTION;ALGAN FILMS;SPECTROSCOPY;SCHOTTKY;TRAPS;BAND
日期:	2001
上传时间:	2010-07-07 14:32:50 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN p-i-n rectifiers with 4 mum thick i-layers show typical reverse breakdown voltages of 100-600 V. We have studied the temperature dependence of current-voltage characteristics in these diodes, along with hole diffusion lengths and the deep level defect
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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