GaAs metal-semiconductor field effect transistor with InGaP/GaAs multiquantum barrier buffer layer

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題名:	GaAs metal-semiconductor field effect transistor with InGaP/GaAs multiquantum barrier buffer layer
作者:	Lee,CT;Shyu,KC;Lin,IJ;Lin,HH
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	SUPERLATTICES;CONDUCTION
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-07 14:35:18 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A novel metal-semiconductor field effect transistor (MESFET) with InGaP/GaAs multiple quantum barrier (MQB) buffer layer was studied. Since the effective potential barrier height is enhanced using the InGaP/GaAs MQB structure, good performances of electro
關聯:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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