High-dielectric-constant Ta2O5/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure

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題名:	High-dielectric-constant Ta2O5/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure
作者:	Tu,LW;Kuo,WC;Lee,KH;Tsao,PH;Lai,CM;Chu,AK;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	DEAD LAYER MODEL;GAN EPIFILMS;PHOTOLUMINESCENCE;TEMPERATURE;DEPENDENCE;DENSITY;FILMS;STATE
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-07 14:35:23 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-dielectric-constant Ta2O5 has been grown on the n-GaN epifilm by rf magnetron sputtering. Photoluminescence measurement has been performed to compare the luminescence intensity with and without the dielectrics. Threefold increase in intensity is obta
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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