Nonalloyed GaAs metal-semiconductor field effect transistor

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题名:	Nonalloyed GaAs metal-semiconductor field effect transistor
作者:	Lee,CT;Huang,JH;Tsai,CD
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;OHMIC CONTACTS;MULTIQUANTUM BARRIER;THERMAL-STABILITY;RESISTANCE;MESFET;LAYER;TEMPERATURE;INAS/INGAAS
日期:	2000
上传时间:	2010-07-07 14:35:39 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A novel GaAs metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET) with Al0.25Ga0.75As/GaAs multiquantum barrier (MQB) buffer layer and narrow band InAs/graded InGaAs capping layer was demonstrated. The MQB buffer layer can improve the sidegating effect an
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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