DC magnetron sputtering of Si to form SiO2 in low-energy ion beam

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題名:	DC magnetron sputtering of Si to form SiO2 in low-energy ion beam
作者:	Cheng-Chung Lee,Der-Jun Jan
貢獻者:	薄膜技術研究中心
關鍵詞:	SILICON DIOXIDE FILMS;THIN-FILMS;ASSISTED DEPOSITION;ROOM-TEMPERATURE;PLASTIC OPTICS;COATINGS;GROWTH
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 15:47:29 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Silicon dioxide NOD films were deposited by magnetron sputtering and ion-beam oxidation (IBO) in separate zones at ambient temperature. The optical and structural characteristics of the films were analyzed by spectrophotometry, Fourier transform infrared
關聯:	VACUUM
顯示於類別:	[薄膜技術研究中心] 期刊論文

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