Carrier dynamics in nitride-based light-emitting p-n junction diodes with two active regions emitting at different wavelengths

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35719

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35719

題名:	Carrier dynamics in nitride-based light-emitting p-n junction diodes with two active regions emitting at different wavelengths
作者:	Li,YL;Gessmann,T;Schubert,EF;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	WHITE-LIGHT;EFFICIENCY;COLOR;WELL
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 15:49:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The carrier transport and recombination dynamics of monolithic InGaN/GaN light-emitting p-n junction structures with two active regions are investigated. Room-temperature and low-temperature photoluminescence and room-temperature electroluminescence measu
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	655	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing