GaN, ZnO and InN nanowires and devices

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題名:	GaN, ZnO and InN nanowires and devices
作者:	Pearton,S. J.;Kang,B. S.;Gila,B. P.;Norton,D. P.;Kryliouk,O.;Ren,F.;He,Young-Woo;Chang,Chih-Yang;Chi,Gou-Chung;Wang,Wei-Ming;Chen,Li-Chyong
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;GALLIUM NITRIDE NANOWIRES;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;INDIUM NITRIDE;SELECTIVE DETECTION;ROOM-TEMPERATURE;BUILDING-BLOCKS;TRANSPORT-PROPERTIES;CARBON NANOTUBES;CATALYTIC GROWTH
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-08 13:19:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A brief review is given of recent developments in wide bandgap semiconductor nanowire synthesis and devices fabricated on these nanostructures. There is strong interest in these devices for applications in UV detection, gas sensors and transparent electro
關聯:	JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY????
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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