Effects of thermal annealing on Al-doped ZnO films deposited on p-type gallium nitride

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题名:	Effects of thermal annealing on Al-doped ZnO films deposited on p-type gallium nitride
作者:	Tun,CJ;Sheu,JK;Lee,ML;Hu,CC;Hsieh,CK;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	LIGHT-EMITTING-DIODES;OXIDE OHMIC CONTACTS;LOW-RESISTANCE;GAN;NI/AU;SPECTROSCOPY;PERFORMANCE;MECHANISM
日期:	2006
上传时间:	2010-07-08 13:25:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, Al-doped ZnO (AZO) and Ni/AZO films were deposited on p-type GaN films followed by thermal annealing to form ohmic contacts. After thermal annealing, the resistivities of AZO films reduced from 5x10(-3) to 4-6x10(-4) Omega cm. Both as-depos
關聯:	JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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