Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metallorganic vapor phase

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題名:	Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metallorganic vapor phase
作者:	Sheu,JK;Chen,SS;Lee,ML;Lai,WC;Chi,GC
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	SCHOTTKY-BARRIER PHOTODETECTORS;CAP LAYER
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-08 13:27:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The following research describes low- temperature- grown (LT) GaN films grown by metallorganic vapor- phase epitaxy. Hall- effect measurements indicate that the resistivity of as- grown and annealed LT GaN films exceeds 10(11) Omega/square. LT GaN films e
關聯:	JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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