Improved thermal stability CrB2 contacts on ZnO

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题名:	Improved thermal stability CrB2 contacts on ZnO
作者:	Ip,K;Khanna,R;Norton,DP;Pearton,SJ;Ren,F;Kravchenko,I;Kao,CJ;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	TI/AU OHMIC CONTACTS;SINGLE-CRYSTAL ZNO;R-PLANE SAPPHIRE;N-TYPE ZNO;LOW-RESISTANCE;ELECTRICAL CHARACTERIZATION;4H-SILICON CARBIDE;SCHOTTKY CONTACTS;SURFACE BARRIERS;DEEP LEVELS
日期:	2005
上传时间:	2010-07-08 13:28:25 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Most common contact metals show low thermal stabilities on ZnO and there is a clear need for more thermally stable metallization. The formation of rectifying contacts on n-type bulk single crystal ZnO using CrB2 was studied using current-voltage, scanning
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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