Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38565

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38565

題名:	Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors
作者:	Kao,CJ;Sheu,JK;Lai,WC;Lee,ML;Chen,MC;Chi,GC
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES;MOBILITY TRANSISTORS;PASSIVATION
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-08 13:31:22 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This study examined the effect of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy at low temperature (LT-GaN) on the surface of Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures. Depositing a high-resistivity LT-GaN surface layer on the Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	478	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing