Characterization of GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer

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題名:	Characterization of GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
作者:	Lee,ML;Sheu,JK;Lai,WC;Su,YK;Chang,SJ;Kao,CJ;Tun,CJ;Chen,MG;Chang,WH;Chi,GC;Tsai,JM
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	METAL ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS;N-GAN;CONTACTS;GAAS;DETECTORS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-08 13:33:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	By using organometallic vapor phase epitaxy we have prepared i-GaN/low temperature (LT) GaN/Ni/Au (sample A) and i-GaN/Ni/Au (sample B) Schottky barrier ultraviolet (UV) photodiodes (PDs). It was found that we could significantly reduce leakage current an
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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