English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78937/78937 (100%)
造訪人次 : 39829850      線上人數 : 1720
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38653


    題名: Effects of spacer thickness on optical properties of stacked Ge/Si quantum dots grown by chemical vapor deposition
    作者: Chang,WH;Chen,WY;Chou,AT;Hsu,TM;Chen,PS;Pei,ZW;Lai,LS
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: PHONONLESS RADIATIVE RECOMBINATION;ISLAND FORMATION;MULTIPLE LAYERS;HUT CLUSTERS;PHOTOLUMINESCENCE;STRAIN;ALIGNMENT;EXCITONS;SIGE/SI;WELLS
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-08 13:34:13 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Photoluminescence investigations on stacked Ge/Si dots with different spacer thicknesses are presented. According to the emission energy shift in the Ge dots, we found that a thinner spacer layer will lead to remarkable Ge-Si intermixing during the stacki
    關聯: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    顯示於類別:[物理研究所] 期刊論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML478檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明