Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 mu m from Ge/Si self-assembled quantum dots

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题名:	Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 mu m from Ge/Si self-assembled quantum dots
作者:	Chang,WH;Chou,AT;Chen,WY;Chang,HS;Hsu,TM;Pei,Z;Chen,PS;Lee,SW;Lai,LS;Lu,SC;Tsai,MJ
贡献者:	物理研究所
关键词:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;HUT CLUSTERS;WAVE-GUIDES;PHOTOLUMINESCENCE;SI;OPERATION
日期:	2003
上传时间:	2010-07-08 13:35:21 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 mum from Ge/Si quantum-dot light-emitting diodes is reported. The devices were fabricated in a mesa-type structure, with a silicon oxide layer on the top for surface/sidewall passivation. Different passi
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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