Improved contact performance of GaN film using Si diffusion

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38856

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38856

題名:	Improved contact performance of GaN film using Si diffusion
作者:	Lin,CF;Cheng,HC;Chi,GC;Bu,CJ;Feng,MS
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	N-TYPE GAN;OHMIC CONTACTS
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-08 13:40:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this letter, we investigate a metalization process for reducing the contact resistance on undoped GaN layers. The Si metal source was diffused successfully into the GaN films by using SiOx/Si/Gal2O3 structures. By using a high-temperature annealing
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	418	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing