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題名:
高效率單一量子井藍光發光二極體材料之研究
;
Investigation of High-Efficiency Sqw Blue Light Emitting Diode
作者:
郭政煌
貢獻者:
光電科學研究所
關鍵詞:
光電工程
日期:
2006-07-01
上傳時間:
2010-12-21 17:20:07 (UTC+8)
出版者:
行政院國家科學委員會
摘要:
對新世紀照明主流而言,高亮度且高發光效率LED,於照明替換市場當屬最有潛力的。傳統LED在產品應用上,大都只侷限在指示燈,今日隨著磊晶製程及封裝技術精進,高亮度及信賴性產品快速發展,同時在高亮度及高發光效率LED相繼開發出取代傳統照明已不是夢想,白光LED在照明應用的重要關鍵在於具有穩定的色溫及色度,以及高的演色性。目前商品化白光發光二極體,以二波長為主,主要技術原理係以氮化鎵系列藍光晶片加上黃色螢光粉,利用藍光激發黃色螢光粉產生黃色光,同時也有部分藍光放射出來,配合黃色光即形成藍黃混合二波長白光。由於目前藍光LED的發光層都為InGaN/GaN多重量子井(MQW)結構,因為氮化物材料都有很強的壓電場(piezoelectric field),強大的壓電場會產生所謂的quantum confined Stark effect(QCSE)使的LED發光效率變差,衍生的另外一個問題是發光二極體隨著注入電流增加其發光波長會有藍移的現象;由於目前利用二波長的白光發光二極體,其藍光的波長會決定白光發光二極體色溫、色度及演色性。本計畫我們選擇使用單一量子井(SQW)結構,以減少量子井數目降底壓電場強度,進而減少波長隨著注入電流造成的藍移量,使的白光二極體有穩定的色溫、色度及演色性。當我們減少量子井數目會降低內部量子效應使的發光效率變差,本計畫所成長SQW必須要有很高的內部量子效應,才可研製高效率單一量子井藍光發光二極體;對於成長SQW對其進行特性分析同時也可以對於InGaN薄膜有更進一步的瞭解。對SQW元件特性量測結果,對於quantum confined Stark effect 亦會有更深的瞭解。 研究期間:9501 ~ 9507
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財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
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[光電科學與工程學系] 研究計畫
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