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    題名: 單原子矽摻雜砷化鎵和砷化鎵/砷化鋁鎵HEMT結構的調制光譜;Modulation Spectroscopy of Si-.delta.-Doped GaAs and GaAs/AlGaAs HEMT Structure
    作者: 徐子民
    貢獻者: 中央大學物理學系
    關鍵詞: 物理類;矽單原子層摻雜砷化鎵;HEMT結構;低溫砷化鎵;調制光譜;Si-.delta.-doped GaAs;HEMT structure;Low temperature GaAs;Modulationspectroscopy
    日期: 1995-09-01
    上傳時間: 2012-10-01 15:02:27 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 我們以調制光譜研究單原子矽摻雜砷化鎵 和砷化鎵/砷化鋁鎵HEMT結構的光學特性,特別是 有關於.delta.-doped砷化鎵的表面均勻電場及HEMT 結構的二維能階貢獻.本計畫工作項目包含:(1) 以壓電調制光譜(PZR)研究.delta.-doped GaAs均勻電 場的FKO振盪;(2)以.delta.-doped結構研究砷化鎵的 表面覆蓋層;(3)以.delta.-doped結構研究低溫砷化 鎵;(4)以HEMT結構研究二維能階相關的調制光譜. ; 研究期間 8308 ~ 8407
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[物理學系] 研究計畫

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