| 摘要: | 利用自行設計的電子反饋線路, 控制雷射界面溫度 ( junction temperature ), 將半導體雷射頻率作線性調整, 使雷射頻率能達 幾十GHz, 而不發生跳模 ( mode hopping )。並量取天然鋰670.8 nm 2s-2p 及6Li, 7Li之光阻光譜 ( optogalvanic spectra ), 利用此方法在較大範圍, 仍有跳模發生, 最好解決方法是將雷射前端面 ( front facet ) 做減反射膜 ( AR coating ), 再將共振腔腔長延長。 我們另外設計製作了半導體雷射端面鍍膜用的小型鍍膜機, 將 一氧化矽鍍膜材料, 裝在特殊的蒸發器 ( boat ) 中, 通以大約250A的電流 (一氧化矽溫度大約1200℃ 左右 ), 此時形成穩定的蒸氣流。 將除去外殼的半導體雷射, 置於鍍膜機中, 大約在幾分鐘之後, 即完成鍍膜。 膜厚控制, 我們採用測量雷射後端面 ( back beam ) 輸出光功率的大小。 當功率達到最小值, 關上檔板 ( shutter), 即完成鍍膜, 便可得到不錯的鍍膜效果。 將端面鍍妥的雷射製成以 Littrow 及 Littman 兩種外腔式結構, 分別採用不同焦距的透鏡, 以及反射率不同的鍍膜, 對其雷射臨界電流, 雷射輸出功率, 雷射模態 ( mode structure ), 雷射頻寬等輸出特性加以比較討論。 none |
