砷化銦鎵的電性研究與平面型PIN光偵測器的製作; Electrical properties of InGaAs and the fabrication of AlInGaAs/InGaAs/InP laterial PIN photodetectors

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Title:	砷化銦鎵的電性研究與平面型PIN光偵測器的製作;Electrical properties of InGaAs and the fabrication of AlInGaAs/InGaAs/InP laterial PIN photodetectors
Authors:	周冠羽;K-Y Chou
Contributors:	光電科學研究所
Keywords:	離子佈植;閉管擴散;砷化銦鎵;平面型光偵測器
Date:	2000-07-19
Issue Date:	2009-09-22 10:23:44 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	我們將分子束磊晶方式(MBE)成長的砷化鋁銦鎵/砷化銦鎵/磷化銦 [In0.53(Ga0.7Al0.3)0.47As/In0.53Ga0.47As/InP]晶片，以鋅的閉管擴散方式，與離子佈植法摻雜Zn+與Si+形成p型區與n型區，製作平面型PIN光偵測器。材料的特性方面，經過X-ray繞射(XRD)，光激光譜(PL)，及霍爾測試(Hall measurement)等量測獲得磊晶層之電特性與光特性如下：在300K時，晶格不匹配(Lattice mismatch)為332.4ppm，能隙為0.751eV，載子型別為n型，載子濃度為2 1015 /cm3，載子遷移率為3400cm2/v s。在材料電性的研究方面。對於以離子佈植法摻雜Si+活化形成n+型半導體方面，我們已有不錯的實驗成果，將載子濃度由2 1015 /cm3提高到1 1018 /cm3以上。在摻雜Zn+轉變電性形成p+型半導體的方面，由Hall量測的結果，我們的實驗結果顯示，在面摻雜量為1 1014/cm2以上，以及8000C以上的活化溫度，比較容易成功將雜質活化。在平面型PIN光偵測器的製作上，我們初步的嘗試也得到令人期待的結果。在逆偏壓10伏特時的暗電流，以擴散方式製作的元件有較小的暗電流，暗電流密度為1.12 10-3(A/cm2)；而以離子佈植方式所製作的元件有較大的暗電流，暗電流密度為4.2 10-2(A/cm2)。而元件漏電流大小也與元件面積成正相關。
Appears in Collections:	[Graduate Institute of Optics and Photonics] Electronic Thesis & Dissertation

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