磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體之研製 磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體之研製

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題名:	磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體之研製磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體之研製
作者:	曾勝揚;Sheng-Yang Zeng
貢獻者:	光電科學研究所
關鍵詞:	磷化銦鎵;砷化鎵;平面摻雜;脈衝摻雜;脈波摻雜;原子層摻雜;突尖型摻雜;歐姆接觸;異質接面;異質接面雙極性電晶體;atomic layer doping;pulse doping;delta doping;planar doping;GaAs;InGaP;heterojunction;HBT;spike doping;Ohmic contact
日期:	2002-06-29
上傳時間:	2009-09-22 10:25:58 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	摘要本論文利用分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE)成長磷化銦鎵/砷化鎵平面摻雜異質接面雙極性電晶體(InGaP/GaAs δ doped HBT)，利用平面摻雜(δ doped)技術提昇基極的金屬-半導體之歐姆接觸特性，降低基極之串聯阻抗，進而提高功率增益截止頻率或最大振盪頻率(fmax)，並利用平面摻雜技術對基極區域電位的調變(potential modulation)，內建基極區域之加速電場，降低載子穿越基極之傳輸時間，進而提高截止頻率(cut-off frequency, ft)。首先比較具有空間層(spacer)及平面摻雜的磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體(InGaP/GaAs HBT)與一般磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之直流特性差異，並針對基極之歐姆接觸做進一步的探討。在基極與未摻雜(undoped)之空間層間加入平面摻雜，調變基極金屬電極與基極半導體間之電位與雜質濃度，可以有效改善基極金屬電極的特徵電阻值(ρC)，其值約在10-4 ~ 10-5 (Ω-cm2)，證明平面摻雜對金屬與半導體接面歐姆接觸特性有顯著的提昇。由射極-基極接面的電特性量測，具有空間層及平面摻雜之磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體(A結構)之起始電壓(Vturn-on)約1.45V，而一般不具空間層及平面摻雜的磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體(B結構)只有1.1V，可了解平面摻雜對此異質接面具有顯著的電位調變作用；此外，A結構明顯有較高的漏電流，在-2V時約數十個nA，而B結構只有數個nA。於梗美樂-普恩繪圖(Gummel-Poon Plot)量測中，由於A結構之射極-基極有較大的漏電流，所以其電流增益約只有4，而B結構之電流增益約40；A結構主要是靠載子穿隧(tunneling)效應為電流成分，故理想因子η > 2，而B結構η接近於1，是以晶體復合電流(IB,bulk)為主要成分。而在共射極電流增益(IC-VCE)量測中，兩個結構都不受歐利效應(Early effect)之影響，表示基極-集極接面濃度分佈相當陡峭(abrupt)。萃取補償電壓(VCE,offset)可以得到A結構約0.55V，B結構約0.15V，平面摻雜之電位調變在此得到應證。
顯示於類別:	[光電科學研究所] 博碩士論文

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