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    題名: 雷射輔助化學氣相沉積法成長氮氧化矽膜;Silicon Oxynitride Grown by Laser Assisted Chemical Vapor Deposition
    作者: 李宗信;Tsung-Hsin Lee
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 雷射;化學氣相沉積;氮氧化矽;電漿;laser;CVD;Silicon Oxynitride;plasma
    日期: 2002-07-06
    上傳時間: 2009-09-22 10:26:30 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本文以實驗室自行研發組裝的二氧化碳雷射，結合傳統電漿激發式化學氣相沉積系統(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 簡稱PECVD)，形成新式薄膜沉積系統，我們稱此種以雷射輔助的PECVD製程稱之為LAPECVD(Laser Assisted PECVD)。我們利用此系統在波導材料的研究上，以應用於各式光通訊元件之研發。 在本論中利用LAPECVD系統，引導二氧化碳雷射斜向到反應室中，照射在矽基板上，在低溫製程下（55oC），可製作出低傳輸損耗、表面平整度佳、良好的抗氧化性等性質的氮氧化矽(SiOxNy)膜，且藉由反應氣體矽烷(SiH4)與一氧化二氮(N2O，俗稱笑氣)比例上不同，可製作出所需的折射率之波導材料。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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