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    題名: 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井之光學特性研究
    作者: 郭文泉;Wen-Quin Guo
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: 氮化銦鎵;氮化鎵;多層量子井
    日期: 2000-07-13
    上傳時間: 2009-09-22 10:52:29 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本篇論文係以光激發螢光光譜與調制反射光譜來研究氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井（InxGa1-xN/GaN MQWs）結構，其氮化銦鎵量子井躍遷訊號之溫度變化。 由光激發螢光光譜中，我們觀察到氮化鎵能隙與氮化銦鎵量子井相關訊號。藉由螢光光譜的溫度變化，發現氮化銦鎵量子井相關訊號存在著一個不尋常的發光現象，隨著溫度的升高，其峰值能量的改變呈現著一個S型的能量變化。 藉由調制反射光譜的溫度變化，實驗結果發現氮化鎵能隙與量子井束縛能階躍遷訊號都是隨著溫度的升高，單純地往低能量偏移的現象。最後，比較調制反射光譜與螢光光譜的溫度變化，來探討氮化銦鎵量子井相關訊號的發光機制。
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

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