在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流，以進行表面陽極氧化合成奈米結構;Transforming the Type of Interface Barrier to Make Hole Current as of the Dominant Current in Heavily Doped N-Type Semiconductors or in High-Purity Silicon Anodizes Its Surface for Synthesizing Nano-Structure

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題名:	在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流，以進行表面陽極氧化合成奈米結構;Transforming the Type of Interface Barrier to Make Hole Current as of the Dominant Current in Heavily Doped N-Type Semiconductors or in High-Purity Silicon Anodizes Its Surface for Synthesizing Nano-Structure
作者:	李天錫
貢獻者:	國立中央大學機械工程學系
日期:	2021-12-21
上傳時間:	2021-12-23 14:56:00 (UTC+8)
摘要:	研究領域：材料科技
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[機械工程學系] 研究計畫

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