磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及其集極調變對元件特性的影響

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Title:	磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及其集極調變對元件特性的影響
Authors:	范振中;Chang-Chung Fan
Contributors:	電機工程研究所
Keywords:	磷化銦鎵/砷化鎵;異質接面雙極性電晶體;集極調變;InGaP/GaAs;HBT;Collector Modulation
Date:	2000-07-19
Issue Date:	2009-09-22 11:39:00 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	在本論文中，針對InGaP/GaAs異質接面雙極性電晶體的特性作詳細的討論。在射極尺寸效應(Emitter Size Effect)方面，得知射極的PE/AE的比例越大，則元件受到射極尺寸效應的影響越大，其電流增益減少的幅度增加。在本論文中也求出InGaP/GaAs材質表面復合電流密度(KB,Surf)值為5.44 x 10-7 A/μm。另外在本論文中也討論了Kirk Effect對元件的影響，並且利用Kirk Effect求出GaAs材質的電子飽和速率(υsat)為3.06 x 106 cm/sec；並且從光罩的設計上與小訊號T-Model中探討了當基集極接面面積越大，元件的高頻特性也越受影響。並且得到SHBT的截止頻率(fT)可達34GHz，並且最大震盪頻率(fmax)可達26GHz。另外在本論文中設計了三種不同集極結構的(D)HBTs，其中集極結構的不同並不影響電流增益大小，但是具有Ledge的HBTs會比沒有Ledge的HBT的電流增益有10%的改善。另外集極採用單一GaAs材質所製作的SHBT會有比其它兩種結構有較小的起始電阻(On-Resistance)，但是會比集極使用單一InGaP材質的DHBT要有較高的Offset Voltage。另外也發現集極採用單一InGaP材質所製作的DHBT也會有比集極採用單一GaAs所製作的SHBT有較好的崩潰電壓(Breakdown Voltage)。
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