氮化鎵異質結構場效電晶體製作與特性分析

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題名:	氮化鎵異質結構場效電晶體製作與特性分析
作者:	許宏造;Hong-Zhau Xu
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	氮化鎵;異質結構場效電晶體;小訊號等效電路模型
日期:	2001-07-13
上傳時間:	2009-09-22 11:41:19 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文主要研究內容在於氮化鎵通道摻雜場效電晶體的製作與量測。藉由電晶體的直流量測，整理出撞擊游離係數對電場的關係，以得到氮化鎵崩潰電場強度。而在電晶體特性量測方面，包括直流、高頻與功率電晶體的功率特性。在直流量測中，發現了存在於電晶體的陷井(trap)所造成的電流坍塌現象(current collapse)。在功率電晶體的量測方面，試著分析電流坍塌現象對電晶體影響的機制，並在量測不同閘極寬度的電晶體同時，提出熱效應(self-heating)的問題。對於sapphire基板所造成的熱效應問題，藉由元件隨環境溫度改變而變化的直流特性，計算出sapphire基板熱阻值。並針對本論文中所使用到的功率電晶體，建立其小訊號等效電路模型，利用“Cold FET”量測方式萃取出外部寄生元件參數，並由矩陣與數學運算得到與元件偏壓條件有關的內部本質元件參數，最後完成模型建立，並與實際高頻量測結果比較。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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